存储器为什么能耐高温电子不会跑掉

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存储器为什么可以耐热电子器件不容易跑掉

由于存储芯片早已进行了一系列更新，而这对于智能驾驶汽车来讲，NAND Flash存储器不仅有着性能卓越、高存储量、小体积封装形式等优点来满足不同传感器更集成化的要求，更重要的是，NAND Flash存储器还能满足车载应用所需要的数据库安全和耐用度。也正因此，NAND Flash存储器在之后的智能驾驶运用市场将会迎来新一轮提高。

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温度会影响到好多好多主要参数，他们会让电路的各个领域造成影响。

比较容易受影响是电路延迟。温度会影响到半导体元器件的扩散系数和阈值电压，但是这二者和温度之间的关系比较复杂，而且不同材料不同夹杂也对温度效用造成影响。一般来讲在室温周边的情况下电子密度和阀值都随温度上升降低，整体实际效果基本上都是温度上升也会导致电路延迟提升。一旦延迟过高一部分电路就会不能满足时钟频率规定，导出不正确的结论，这就使得电路作用出差错。玩显卡超频的时候要提升减温，不然就会无法开机/卡死也是这个道理。

随后持续高温会使较高能自由电子提升，较高能自由电子提升促使晶体三极管产生雪崩击穿的几率升高，电路抗压能力差。假如电路预留的设计方案裕量太小了，晶体管的工作标准电压本来就已经开始抗压极限值周边了，那高温下就很有可能被击穿短路故障，烧毁芯片。这样的事情如今不多见，通常是之前芯片高温保护还不完善时，温度高高的了还没自动开关机也会导致这样的事情（例如早期AMD Duron…）。今天就只有一些山寨货伪劣芯片会中枪了。

还有一个致命的问题便是电转移（EM）了。现今集成化电路通常采用铜互联，关键是铜原子这个东西很躁动不安，非常容易伴随着静电场飘移走……所以每当铜互联线上有电流量穿过时就会外流一部分铜原子，造成联线会变得越来越窄。一般芯片在设计的时候会根据设计电流大小选取一个足够的线距，确保铜心线在芯片工作寿命内可以承受住电迁移的危害不容易断开。可是持续高温会大大加强电迁移的实际效果，相同的线距一样的电流在120度下电力的转移使用寿命大概只有105度中的70%，这时候大大减少芯片的使用寿命。

提到EM当然还会继续想起IR Drop。IR drop是指芯片中所有联线是有一定电阻的，因此从开关电源在各个最底层元器件联线都是会吞掉一部分电源电流，促使电路具体获得电压低于电源电压电压。温度上升会使联线电阻和电流量都发生改变，很有可能促使联线吃掉的工作电压增大，最底层元器件获得电压过低不能满足时钟频率规定。这样的事情发生的可能性很小，但不排除有一些对IR比较敏感设计会应该考虑温度危害。

最终还有一个Aging难题。Aging指的是时晶体三极管在工作的时候，因为自由电子和硅原子会相撞，因此也不断发生晶格缺陷。不断增加的晶格缺陷会使电路性能会随着时间一点点转变（一般会变慢）。而类似电转移，持续高温会使这一过程大大加快，造成芯片达不到预期使用寿命。